Лаборатория радиационных воздействий
Дата создания - 1963 г.
| Количество сотрудников |
|
- 21 |
| - член.-корреспондентов НАНБ |
|
- 1 |
| - докторов наук |
|
- 2 |
| - кандидатов наук |
|
- 7 |
| - аспирантов |
|
- 1 |
Руководитель лаборатории
Коршунов Федор Павлович,
доктор технических наук, член-корр. НАНБ, член двух советов по защите докторских диссертаций, член экспертного совета по физике ВАК Беларуси, член редколлегии журнала «Известия НАНБ» сер. Физ.-мат. наук, член экспертного совета ВАК, член экспертного совета по ГППИ «Высокоэнергетические технологии»
Дата назначения на должность - 1969 г. |
 |
Основные направления НИОКР
Фундаментальные исследования
• Экспериментальные и теоретические исследования в области радиационной физики твердого тела (кремния, соединений А3В5, сверхпроводящих материалов и др.
• Исследования изменений электрофизических характеристик полупроводниковых структур с р-п-переходами и структур металл-диэлектрик-полупроводник при воздействии различных видов ионизирующих излучений (гамма-, электронного и др.).
Прикладные исследования
• Разработка физических основ и методов использования проникающих излучений в технологии изготовления полупроводниковых материалов и приборов с улучшенными характеристиками
• Разработка методов прогнозирования и повышения радиационной стойкости дискретных полупроводниковых приборов и интегральных микросхем
Направления исследований и разработок по новым, приоритетным направлениям
• Исследование изменений свойств наноразмерных структур на основе Si / Ge при воздействии радиации, образование нанокластеров в кремнии
• Разработка методов радиационной технологии изготовления мощных быстродействующих диодных и транзисторных структур
Новые формирующиеся направления исследований
• Радиационное дефектообразование в монокристаллах и пленках кремния и структурах на их основе
• Исследование переноса заряда в плазме полупроводниковых структур, облученных электронами
• Использование водорода в технологии полупроводниковых материалов
• Использование высокоэнергетичных электронов для повышения быстродействия и снижения коммутационных энергопотерь мощных полупроводниковых приборов
Сотрудники лаборатории:
Коршунов Ф.П. |
Зав. лабораторией |
(375) (17) 284 11 27 |
korshun@ifttp.bas-net.by |
Богатырев Ю.В. |
Гл. науч.сотрудник |
(375) (17) 284 12 89 |
bogat@ifttp.bas-net.by |
Гуринович В.А. |
Науч. сотрудник |
(375) (17) 284 15 27 |
|
Гусаков В.Е. |
Науч. сотрудник |
(375) (17) 284 12 90 |
gusakov@ifttp.bas-net.by |
Жданович Н.Е. |
Науч. сотрудник |
(375) (17) 284 15 27 |
jdan@ifttp.bas-net.by |
Иванюкович А.В. |
Аспирант |
(375) (17) 284 12 29 |
a_iva@ifttp.bas-net.by |
Комаров Б.А. |
Науч. сотрудник |
(375) (17) 284 12 90 |
|
Карась В.И. |
Науч. сотрудник |
(375) (17) 284 12 89 |
|
Короткий А.В. |
Аспирант |
(375) (17) 284 12 29 |
|
Кульгачев В.И. |
Науч. сотрудник |
(375) (17) 284 12 89 |
|
Лазарь А.П. |
Науч. сотрудник |
(375) (17) 284 14 44 |
lazar@ifttp.bas-net.by |
Ластовский С.Б. |
Ст.науч.сотрудник |
(375) (17) 284 12 89 |
lastov@ifttp.bas-net.by |
Маркевич В.П. |
Ст.науч.сотрудник |
(375) (17) 284 12 90 |
murin@ifttp.bas-net.by |
Марченко И.Г. |
Ст.науч.сотрудник |
(375) (17) 284 15 27 |
march@ifttp.bas-net.by |
Медведева И.Ф. |
Науч. сотрудник |
(375) (17) 284 13 08 |
mif@ifttp.bas-net.by |
Мудрый А.В. |
Вед.науч.сотрудник |
(375) (17) 284 12 29 |
mudryi@ifttp.bas-net.by |
Мурин Л.И. |
Ст.науч.сотрудник |
(375) (17) 284 12 90 |
murin@ifttp.bas-net.by |
Тимошенко С.А. |
Наладчик КИП |
(375) (17) 284 14 44 |
|
Тельнов А.С. |
Вед. инж.эл-к |
(375) (17) 284 14 44 |
|
Точилин В.К. |
Вед.инж.эл-к |
(375) (17) 284 14 44 |
tochilin@ifttp.bas-net.by |
Шакина Н.В. |
Техник 1 кат. |
|
|
|
