Институт физики твердого тела и полупроводников

 

Высокотеплопроводный керамический  материал "Алнит" на основе нитрида алюминия

Теплопроводность, Вт / (м.К)          - 185

Диэлектрическая проницаемость    - 8-12

Уд. электр. сопротивление, Ом.см  - 1013

Плотность,  г / см3 - 3.25

Микротвердость, Гпа - 16.5-18

Твердость по Виккерсу, Гпа -  14

Материал может быть использован в ка-честве подложек гибридных интеграль-ных микросхем, в качестве держателя СВЧ транзисторов. Изготавливается в виде пластин диаметром 10-26 мм и толщиной 1-5 мм. Способ его получения высокопроизводителен и исключает необходимость использования связующих и добавок, активирующих процесс спекания. Это обеспечивает высокую плотность и теплопроводность керамики на основе нитрида алюминия.

Лаборатория тугоплавкой керамики и наноматериалов

Урбанович В.С.






Наверх
© Best viewed in Internet Explorer 5.0 or higher and screen resolution 800x600