| Авторы |
Название |
Ссылка |
| Зуб Е.М., Шелег А.У. |
НИЗКОТЕМПЕРАТУРНЫЕ РЕНТГЕНОГРАФИЧЕСКИЕ ИССЛЕДОВАНИЯ КРИСТАЛЛА [NH2(C2H5)2]2·CuCl4 |
1_251.pdf |
| Ю.В. Радюш, Н.М. Олехнович |
Особенности диэлектрического отклика твёрдых растворов
(1-х)PbMg1/3Nb2/3O3 – хPbZrO3, синтезированных при высоком давлении |
1_254.pdf |
| M.Dambekalne, M.Kalnberga, M.Livinsh, L.Shebanovs, K.Bormanis, A.Sternberg |
STUDIES OF PbSc1/2Nb1/2O3 – PbYb1/2Nb1/2O3 SOLID SOLUTIONS |
1_257.pdf |
| Dambekalne M., Antonova M., Belov V., Livinsh M., Garbarz-Glos B., Smiga W., Sternberg A. |
PRODUCTION AND PROPERTIES OF PLZT CERAMICS |
1_261.pdf |
| И.И.Мороз, Н.М.Олехнович, А.В.Пушкарев |
СТРУКТУРНЫЕ И ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ КЕРАМИКИ (1-x)BaTiO3-xLiNbO3, СИНТЕЗИРОВАННОЙ ПРИ ВЫСОКИХ ДАВЛЕНИЯХ И ТЕМПЕРАТУРЕ |
1_265.pdf |
| Акимов А.И., Жуковец Д.А. |
ПОЛУЧЕНИЕ ПЬЕЗОКЕРАМИКИ С НИЗКОЙ ТЕМПЕРАТУРОЙ СПЕКАНИЯ И ИССЛЕДОВАНИЕ СТРУКТУРНЫХ И ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИХ СВОЙСТВ |
1_268.pdf |
| А.И. Акимов, А.К. Летко, Г.К. Савчук |
Условия получения и электрофизические свойства пьезокерамических образцов системы Pb0.98(Zr0.53Ti0.47)O3 – Cd0.02(Bi2/3Mn1/3)O3 |
1_272.pdf |
| К. Борманис, А.И. Бурханов, А. Калване, М. Дамбекалне,А.В. Алпатов, А.В. Шильников, А. Штернберг |
НЕЛИНЕЙНОСТЬ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОГО ОТКЛИКА В СЕГНЕТОКЕРАМИКЕ СКАНДОНИОБАТА СВИНЦА |
1_275.pdf |
| Romanyuk V.L., Gremenok V.F., Merkulov V.S., Zalesski V.B., Ponomar V.N., Chigir G.G |
Materials for producing thermal image IR sensors and nonvolatile memory and technologies of its producing |
1_278.pdf |
| Бохан Ю.И., Гарло А.В., Лалетин В.М., Сарасеко М.Н. |
Интенсификация процесса синтеза слоистых сегнетоэлектриков добавками молибдена |
1_282.pdf |
| Брайловский В.В. |
ТЕМПЕРАТУРНАЯ ЗАВИСИМОСТЬ ПАРАМЕТРОВ РЕШЕТКИ Ba1-xCexTiO3 |
1_285.pdf |
| Юрлов И.С., Ушакова Ю.Н., Калинина Л.А., Фоминых Е.Г., Мякишева В.Н. |
ЭЛЕКТРОЛИТИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА СУЛЬФИДНОЙ КЕРАМИКИ НА ОСНОВЕ BaSm2S4 |
1_287.pdf |
| С.А. Василевский, В.Ф. Гонтарев, Л.Н. Марголин, В.И. Януть |
СВОЙСТВА МОДИФИЦИРОВАННОГО TGS В ИМПУЛЬСНЫХ ТЕПЛОВЫХ И ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПОЛЯХ |
1_290.pdf |
| Ячковский А.Я., Шелег А.У. |
ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ИССЛЕДОВАНИЯ КРИСТАЛЛОВ [N(C2H5)4]2ZnBr4 |
1_293.pdf |
| Голякевич Т.В., Сошников Л.Е., Коршунов Ф.П., Трухан В.М |
Влияние электронного облучения на диэлектрические свойства дифосфида кадмия |
1_296.pdf |
| Шут В.Н., Кашевич И.Ф. |
ФОРМИРОВАНИЕ УНИПОЛЯРНОГО СОСТОЯНИЯ В ВОДОРОДСОДЕРЖАЩИХ СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ КРИСТАЛЛАХ |
1_301.pdf |
| С.В. Костомаров, Ф.Ф. Мышленок, В. Н. Шут |
ВЛИЯНИЕ ДАВЛЕНИЯ ПРЕССОВАНИЯ НА МИКРОСТРУКТУКУ ПОЗИСТОРНАЯ КЕРАМИКИ |
1_304.pdf |
| В.Н. Шут, Д.А. Ильющенко, С.Р. Сырцов, А.В. Гаврилов |
ПОЗИСТОРНЫЕ БЛОКИ ЗАЩИТЫ АВТОМАТИЧЕСКИХ ТЕЛЕФОННЫХ СТАНЦИЙ |
1_308.pdf |
| В.Н. Шут, Е.Л. Гавриленко, А.В. Гаврилов |
ЛОКАЛЬНЫЕ ТЕПЛОВЫЕ ПОЛЯ В ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ КЕРАМИКЕ ТИТАНАТА БАРИЯ |
1_312.pdf |
| Копытов А.В., Ткаченко В.Н. |
ДИНАМИКА РЕШЕТКИ, ТЕРМОДИНАМИЧЕСКИЕ И ОПТИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СОЕДИНЕНИЙ  |
1_315.pdf |
| Савчук В.А., Савчук Г.К., Отчик П. |
ВЛИЯНИЕ УСЛОВИЙ ПОЛУЧЕНИЯ ЩЕЛОЧНО-АЛЮМОСИЛИКАТНОЙ КЕРАМИКИ НА ЕЕ КАТАЛИТИЧЕСКИЕ СВОйСТВА |
1_318.pdf |
| Калинина Л.А., Медведева О.В, Широкова Г.И., Ушакова Ю.Н., Фоминых Е.Г., Ананченко Б.А., Юрлов И.С. |
ЗАВИСИМОСТЬ ЭЛЕКТРОЛИТИЧЕСКИХ СВОЙСТВ ФАЗ НА ОСНОВЕ МLn2S4 ОТ ПАРЦИАЛЬНОГО ДАВЛЕНИЯ НЕМЕТАЛЛА |
1_321.pdf |
| Калинин Ю.Е., Ситников А.В. |
ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА КОМПОЗИТОВ МЕТАЛЛ-ДИЭЛЕКТРИК |
1_323.pdf |
| Геращенко О.В. |
АНОМАЛЬНО НИЗКИЙ ТОКОВЫЙ ШУМ В НАНОСТРУКТУРНОЙ КЕРАМИКЕ NdFeBC |
1_326.pdf |
| З.Д. Ковалюк, С.П. Юрценюк |
Суперконденсаторы на основе нанокомпозитов |
1_329.pdf |
| Поклонский Н.А., ГорбачукН.И., Алейникова Д.А., Потоцкий И.В. |
Влияние постоянного электрического поля на частотные зависимости импеданса композитов Si/SiO2
в окрестности порога протекания |
1_331.pdf |
| Дамбис М.К., Долгов А.В., Филиков В.А., Черкасов А.П. |
Микроструктура и электрофизические свойства микроволновых диэлектриков системы ((1-y)BaO+yMgO)/((1-z)Sm2O3+zLa2O3)/5TiO2 |
1_334.pdf |
| Giancarlo Jug |
EFFECTS OF A WEAK MAGNETIC FIELD ON THE THERMAL AND ELECTRICAL PROPERTIES OF DIELECTRIC GLASSES AT LOW TEMPERATURES |
1_336.pdf |
| Рембеза С.И., Свистова Т.В., Рембеза Е.С., Комарова А.С. |
ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА НАНОКОМПОЗИТА SnOx:MnOу |
1_339.pdf |
| Федотов А.К., Андриевский Б.В., Калинин Ю.Е., Свито И.А., Патрин А.А., Мазаник А.В., Ситников А.В., Малютина-Бронская В.В. |
Импеданс нанокомпозитов FeCoZr – оксид алюминия |
1_342.pdf |
| Стогний А.И., Паньков В.В., Луцев Л.В., Новицкий Н.Н., Пашкевич М.В. |
СВОЙСТВА И ПРОБЛЕМЫ ФОРМИРОВАНИЯ ПЛЁНОЧНЫХ СТРУКТУР КОМНАТНОТЕМПЕРАТУРНОЙ СПИНТРОНИКИ |
1_345.pdf |
| Коновалов А.А., Тарасов В.Ф., Уланов В.А. |
ДИМЕРНАЯ САМООРГАНИЗАЦИЯ ПРИМЕСНЫХ ПАРАМАГНИТНЫХ ЦЕНТРОВ В ДИЭЛЕКТРИЧЕСИХ КРИСТАЛЛАХ. ИЗУЧЕНИЕ МЕТОДОМ ЭПР СПЕКТРОСКОПИИ |
1_347.pdf |
| А.Г. Малашкевич |
ВЛИЯНИЕ ТЕПЛОВОЙ ИСТОРИИ КВАРЦЕВОГО ГЕЛЬ-СТЕКЛА НА ЕГО НАДМОЛЕКУЛЯРНУЮ СТРУКТУРУ И КОНЦЕНТРАЦИЮ ИОНОВ ГИДРОКСИЛА |
1_349.pdf |
| Матовников А.В., Сидоров А.А., Кузнецов С.В., Андоралов В.М., Чукина Т.А.,Новиков В.В. |
СИНТЕЗ ДИБОРИДОВ РЕДКОЗЕМЕЛЬНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ |
1_352.pdf |
| Жмойдин Г.И., Коржуев М.А. |
ИЗМЕНЕНИЕ ПЛОТНОСТИ ПРИ УПОРЯДОЧЕНИИ В СИСТЕМЕ CaO – Al2O3 |
1_355.pdf |
| Подденежный Е.Н., Бойко А.А., Стоцкая О.А., Чижик С.А |
Новые люминесцентные материалы на основе силикатных систем, содержащие наночастицы оксидов переходных и редкоземельных элементов |
1_358.pdf |
| Бойко А.А., Подденежный Е.Н., Стоцкая О.А., Богатырев В.М., Гаевая М.В. |
Нанокомпозиты «диоксид кремния – оксид железа», формируемые золь-гель методом |
1_361.pdf |
| V. Bondarenko |
POROUS SILICON RESEARCH IN BELARUS |
1_364.pdf |
| Belousov I.V., Kuznetsov G.V., Skryshevsky V.A |
FORMATION OF POROUS SILICON LAYER WITH METALLIZATION PORES |
1_366.pdf |
| А.В.Мудрый, А.В.Иванюкович, А.В. Короткий, В.В.Емцев, М.В.Якушев |
ОПТИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ПОРОШКА И ПЛЕНОК НИТРИДА ИНДИЯ |
1_368.pdf |
| Гременок В.Ф. |
ИССЛЕДОВАНИЕ ФОТОЧУВСТВИТЕЛЬНЫХ СТРУКТУР НА ОСНОВЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СОЕДИНЕНИЙ AIBIIICVI2 |
1_372.pdf |
| Коржуев М.А., Иванова Л.Д. |
ПОДВИЖНАЯ МЕДЬ В ВЕТВЯХ ТЕРМОЭЛЕМЕНТОВ НА ОСНОВЕ Bi2Te3 |
1_376.pdf |
| А.С. Турцевич, О.Ю. Наливайко, В.П. Лесникова, Л.П. Ануфриев, Г.В. Лепешкевич |
ИССЛЕДОВАНИЕ ПРОЦЕССА ОСАЖДЕНИЯ И СВОЙСТВ ПЛЕНОК ПОЛУИЗОЛИРУЮЩЕГО КРЕМНИЯ |
1_379.pdf |
| Горлей П.Н., Горлей П.П., Махний В.П., Слётов М.М., Демич Н.В., Слётов А.М. Чупыра С.Н |
Частотная и концентрационная зависимости фотоотклика полупроводника с дрейфовой неустойчивостью |
1_382.pdf |
| Махний В.П., Слётов М.М., Демич Н.В., Слётов А.М. |
ОСОБЕННОСТИ ФИЗИЧЕСКИХ СВОЙСТВ ГЕТЕРОСЛОЕВ ИЗОВАЛЕНТНОГО ЗАМЕЩЕНИЯ ШИРОКОЗОННЫХ II-VI СОЕДИНЕНИЙ |
1_385.pdf |
| Марьянчук П.Д., Мазур Л.М., Майструк Э.В. |
ПОЛУМАГНИТНЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКИ Hg1-x-yMnxFeySe И Hg1-x-yMnxFeyТe |
1_388.pdf |
| Вабищевич Н.В., Бринкевич Д.И., Вабищевич С.А., Просолович В.С., Явид В.Ю. |
ВЛИЯНИЕ ПРИМЕСЕЙ ТРЕТЬЕЙ ГРУППЫ НА ПРОЧНОСТНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ КРЕМНИЯ |
1_391.pdf |
| A. Fonseca, N.A. Sobolev, J.P. Leitao, E. Alves, M.C. Carmo, A.I. Nikiforov |
Photoluminescence and Rutherford backscattering study of Ge quantum dots grown on a Si(100) surface covered with a thin silicon oxide layer |
1_394.pdf |
| Цалый В.З. |
ТЕРМИЧЕСКОЕ РАСШИРЕНИЕ И ХАРАКТЕРИСТИКИ ПРОЧНОСТИ МЕЖАТОМНОЙ СВЯЗИ В АМОРФНЫХ ТЕЛЛУРИДАХ ГАЛЛИЯ |
1_397.pdf |
| Бондаренко В.П., Троянова Г.Н., Левченко В.И., Постнова Л.И. |
ПОРИСТЫЙ КРЕМНИЙ КАК УНИВЕРСАЛЬНЫЙ БУФЕРНЫЙ СЛОЙ В ГЕТЕРОЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СТРУКТУРАХ |
1_399.pdf |
| Р.Д. Венгренович, С.В. Ярема, А.В. Москалюк |
Созревание по оствальду в полупроводниковых гетероструктурах с квантовыми точками |
1_401.pdf |
| А.И. Беляева, А.А. Галуза |
ПРИРОДА ПОВЕРХНОСТНЫХ И НЕОДНОРОДНЫХ ПЕРЕХОДНЫХ СЛОЕВ В МНОГОСЛОЙНОЙ СТРУКТУРЕ Si-SiO2-Si |
1_404.pdf |
Макаренко Л.Ф., Коршунов Ф.П., Ластовский С.Б., Гуринович В.А.,
Казючиц Н.М., Русецкий М.С. |
Влияние обработки в водородной плазме на ОБРАЗОВАНИЕ электрически активных центров В ОБЛУЧЕННЫХ КРЕМНИЕВЫХ структурах |
1_406.pdf |
| R.V. Demin, L.I. Koroleva, S.F. Marenkin, V.M. Novotortsev, B.M.Trukhan, S.A. Varnavskii, D.M. Zashcherinskii, R. Szymczak, M. Baran |
Mn-DOPED CdGeAs2 AND CdGeP2 CHALCOPYRITES – NOVEL MATERIALS FOR SPINTRONICS |
1_410.pdf |
| Боднарь И.В., Боднарь И.Т., Викторов И.А., Кушнер Т.Л., Образцова О.Н. |
ВЫРАЩИВАНИЕ, СТРУКТУРА И ОПТИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА МОНОКРИСТАЛЛОВ ТРОЙНОГО СОЕДИНЕНИЯ CuGa5Se8 |
1_413.pdf |
| Иванов Д.К., Стрельцов Е.А., Федотов А.К., Финк Д., Петров А.В. |
Электроосаждение PbSe и CdTe на монокристаллы p-Si и в нанопористый слой в структуре Si|SiO2 |
1_416.pdf |
| Ф.П. Коршунов, Ю.В. Богатырев, С.Б. Ластовский, В.И. Кульгачев, Л.П. Ануфриев, И.И. Рубцевич, В.В. Глухманчук, Н.Ф. Голубев |
радиационно-термическая ОБРАБОТКА МОЩНЫХ КРЕМНИЕВЫХ ДИОДОВ |
1_419.pdf |
| Акимов А.И., Адашкевич С.В., Дорожок Е.К., Стельмах В.Ф. |
ФУНКЦИОНАЛЬНАЯ ДИАГНОСТИКА И АДАПТИВНОЕ УПРАВЛЕНИЕ В ТЕХНОЛОГИИ МЕТАЛЛООКСИДНЫХ ВАРИСТОРОВ |
1_423.pdf |
| В.А. Иванов, В.Ф. Гременок, Е.П. Зарецкая, О.Н. Сергеева, И.А. Викторов, В.Б. Залесский |
ОПТИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ТОНКИХ ПЛЕНОК Cu(In,Zn)Se2, ПОЛУЧЕННЫХ МЕТОДОМ СЕЛЕНИЗАЦИИ |
1_426.pdf |
| В.Г. Шепелевич, С.В. Гусакова |
ФОРМИРОВАНИЕ СТРУКТУРЫ БЫСТРОЗАТВЕРДЕВШИХ ФОЛЬГ GaSb-InSb |
1_430.pdf |
| К.В. Савченко |
РЕНТГЕНОИНДУЦИРОВАННАЯ ПРОВОДИМОСТЬ Ga2Se3 |
1_433.pdf |
| Богатырев Ю.В |
ВОССТАНОВЛЕНИЕ ПАРАМЕТРОВ ОБЛУЧЕННЫХ ТРАНЗИСТОРНЫХ МОП-СТРУКТУР |
1_435.pdf |
| Покотило Ю.М., Петух А.Н., Литвинов В.В. |
ТЕРМИЧЕСКИЕ УСЛОВИЯ ФОРМИРОВАНИЯ ВОДОРОДНЫХ ДОНОРОВ В ИМПЛАНТИРОВАННОМ ПРОТОНАМИ ГЕРМАНИИ |
1_438.pdf |
| Д.В. Марин, М.Д. Ефремов, Е.Б. Горохов, В.А. Володин, А.Г. Черков, А.К. Гутаковский |
НАНОКРИСТАЛЛЫ Ge В GeO2: ФОРМИРОВАНИЕ, СТРУКТУРА И ОПТИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА |
1_440.pdf |
| М.Д.Ефремов, В.А.Володин, Д.В.Марин, М.Г.Иванов, С.В.Горяйнов, А.И.Корчагин, В.В.Черепков, А.В.Лаврухин, С.Н.Фадеев, Р.А.Салимов, С.П.Бардаханов |
СВОЙСТВА НАНОПОРОШКОВ КРЕМНИЯ, СОЗДАННЫХ ИСПАРЕНИЕМ КРЕМНИЯ МОЩНЫМ ЭЛЕКТРОННЫМ ПУЧКОМ |
1_442.pdf |
| Корзун Б.В., Фадеева Е.А., Мороз И.И |
ПОЛУЧЕНИЕ И ИССЛЕДОВАНИЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ СИСТЕМЫ CuInS2–CuSbS2 |
1_444.pdf |
| Корзун Б.В., Фадеева Е.А. |
ДИФФЕРЕНЦИАЛЬНО-ТЕРМИЧЕСКИЙ АНАЛИЗ СИСТЕМЫ Al – Te |
1_448.pdf |
| Зарецкая Е.П., Гременок В.Ф., Залесский В.Б., Т.Р. Леонова Т.Б., Романов П.И. |
ВЛИЯНИЕ УСЛОВИЙ СИНТЕЗА НА СВОЙСТВА ПЛЕНОК Cu(In,Ga)Se2 |
1_452.pdf |
| Н.А. Поклонский, А.О. Коробко, Н.М. Лапчук |
ПАРАМАГНЕТИЗМ КРИСТАЛЛОВ p-Si, ИМПЛАНТИРОВАННЫХ ИОНАМИ КОБАЛЬТА |
1_456.pdf |
| Васильевский И.С., Галиев Г.Б., Климов Е.А., Новожилов С.А., Черечукин А.А., Широков С.С. |
ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА МОДУЛИРОВАННО- И ДЕЛЬТА-ЛЕГИРОВАННЫХ Р-НЕМТ ТРАНЗИСТОРНЫХ СТРУКТУР |
1_459.pdf |
| Митрохин В.И., Рембеза С.И., Ярославцев Н.П., Руденко А.А. |
ОПТИЧЕСКАЯ МОДУЛЯЦИЯ Внутреннего трения, ОБУСЛОВЛЕННОГО ЭЛЕКТРОННОЙ РЕЛАКСАЦИЕЙ, В ШИРОКОЗОННЫХ ПОЛУПРОВОДНИКАХ а3в5 |
1_462.pdf |
С.Ф. Маренкин, Л.И. Очертянова, В.М. Трухан, С.Г. Михайлов,
А.В. Молчанов, Г.С. Юрьев |
Растворимость марганца в монокристаллах Cd1-xMnxGeAs2 |
1_465.pdf |
| V.V. Ilchenko, O.Yu. Kondratovich, O.V. Tretyak, M.V. Shkil |
IMPACT OF THE TEST SIGNAL FREQUENCY ON CAPACITANCE-VOLTAGE CHARACTERISTICS OF THE METAL-SEMICONDUCTOR CONTACT WITH DEEP LEVELS INSIDE THE STRUCTURE |
1_469.pdf |
| Л.А. Башкиров |
О ВОЗМОЖНОСТИ СОЗДАНИЯ СОЛНЕЧНОГО ЭЛЕМЕНТА НА ОСНОВЕ ОКСИДОВ МЕТАЛЛОВ, ПРЕДНАЗНАЧЕННОГО ДЛЯ ПОЛУЧЕНИЯ ВОДОРОДА ИЗ ВОДЫ |
1_472.pdf |
| Макаренко Л.Ф., Коршунов Ф.П., Ластовский С.Б., Гуринович В.А. |
определение содержания углерода в структурах, изготоленных на основе высокоомного кремния |
1_475.pdf |
| Федотов А.К., Калинин Ю.Е., Свито И.А., Малютина-Бронская В.В., Мазаник А.В., Ситников А.В. |
Механизмы транспорта электронов в нанокомпозитах FeCoZr-оксид алюминия |
1_478.pdf |
| Шишонок Н.А., Ерош А.Ю., Леусенко А.А., Петруша И.А. |
Диэлектрические свойства кубического нитрида бора |
1_481.pdf |
| Петруша И.А., Смирнова Т.И., Осипов А.С., Стратийчук Д.А., Шишонок Н.А. |
Твердость и прочность высокочистых поликристаллических материалов кубического нитрида бора |
1_484.pdf |
| Г.М. Абрамова, Г.А. Петраковский, А.М. Воротынов, Н. И. Киселев, Д. А. Великанов, Р. Шимчак, А. Ф. Бовина, Р. Ф. Альмухаметов, В.С. Никольский |
КОЛОССАЛЬНОЕ МАГНИТОСОПРОТИВЛЕНИЕ В ИНТЕРПАЛИРОВАННОМДИСУЛЬФИДЕ CuVxCr1-xS2(x-0,1) |
1_487.pdf |
